Страница 21 из 22
Факты и документы свидетельствуют о том, что «роковое», по мнению некоторых исследователей, решение о копировании компьютеров третьего поколения IBM S/360 отнюдь не привело к свертыванию работ по развитию и совершенствованию самой перспективной на тот период БЭСМ-6, созданной в ИТМиВТ под руководством академика С. А. Лебедева. Различные модификации этой машины нашли применение в военной области. На ее основе в 1970-е годы была создана первая в стране автоматизированная банковская система (АБС), обслуживавшая учреждения Госбанка СССР в Москве, Московской области и еще 13-ти крупнейших регионов страны. Ежесуточный объем информации, поступавшей на вход «АБС Банк» достигал 15 106 алфавитно-цифровых знаков, что составляло, примерно, 350 тыс. банковских документов. В памяти АБС хранилась информация о состоянии 200 тыс. лицевых счетов учреждений, предприятий и организаций столицы. Результаты обработки данных выдавались на печатающие устройства в виде окончательно оформленных банковских документов по 300 формам с общим объемом 15 млн 128-разрядных строк.[68]
Много вопросов вызывает проблема становления отечественной полупроводниковой электроники.
О том, когда тема полупроводников удостоилась внимания советского руководства, можно судить по короткой записке знаменитого сталинского наркома и, между прочим, первого руководителя Минсредмаша В. А. Малышева от 13 января 1949 г.:
«т. Тевосяну И. Т.
Алексеенко
Коробову (Гостехника)
__________________________________
Прошу обратить внимание на эту статью»[69]
К записке Малышева прилагается машинописный текст, переведенной на русский язык, статьи из 32-го номера английского журнала Times review industry за 1948 г. В статье излагаются некоторые идеи по поводу перспектив использования германия и кремния в качестве конструктивных материалов для производства надежных и долговечных электронных приборов нового технологического поколения: «Существуют большие возможности получения новых полезных свойств путем управления расположением атомов и электронов, из которых состоят эти твердые тела».
Все директивные документы ЦК КПСС и Совмина СССР о создании научной, опытно-конструкторской и производственной базы полупроводниковой электроники имеют гриф ограничения доступа. Чаще всего в «ветеранской историографии» упоминается постановление № 78/27сс от 24 января 1961 г. «О развитии полупроводниковой техники». Документ не «рассекречен» и не опубликован, но из контрольных цифр 7-летнего (1959–1965 гг.) плана развития народного хозяйства СССР, например, известно, что в электронной промышленности «до 1965 года должно быть закончено строительство и реконструкция 81-го предприятия и запроектировано 119 предприятий».[70]
Основным катализатором развития отечественной полупроводниковой электроники были военные программы. Так, по словам профессора Ю. Р. Носова, «полупроводниковая инфракрасная техника все эффективнее демонстрировала нашим военным «чудодейственные возможности», необходимые для создания тепловых головок самонаведения зенитных ракет и приборов ночного видения». Этот же автор утверждает: «Подобно тому, как «битву за Британию» (1940) выиграли радары, окончание Вьетнамской войны и Парижский мир (1973) обеспечили тепловизоры: к ним не сумели подобрать противодействие, аналогично тому, как это было сделано в отношении радаров, и американские ВВС начали нести слишком значительные потери».[71]
Важным аспектом истории становления отечественной полупроводниковой электроники является состояние металлургической базы производства германия и кремния. К сожалению, на эту тему вообще нет никаких опубликованных данных. Отрывочные сведения содержатся в аналитических обзорах ГКНТ СССР. Например, в обзоре «Основные направления технического прогресса народного хозяйства РСФСР на период до 1980 г. Цветная металлургия» от 18 мая 1961 г. сообщается:
«…Из-за отсутствия развития производства редких металлов тормозится внедрение новой техники в ряде важнейших отраслей народного хозяйства (выпуск жаропрочных и легких сплавов, полупроводниковых приборов и других изделий особого назначения)».[72]
Очень плохо обстоит дело с источниками по истории становления отечественной микроэлектроники. Между тем, для историографии данная тема является наиважнейшей. Пожалуй, ни одна из отраслей науки, техники и производства, кроме атомной промышленности, не предъявляла Советскому Союзу столь же экономически затратных и жестких технических требований по ее созданию и развитию, как микроэлектроника. На ней же (микроэлектронике) Советский Союз, надо понимать, и запнулся, не найдя необходимых средств и ресурсов для поддержания невероятно высоких темпов научно-технического прогресса и соответствующих капиталовложений.
Все основные директивные документы ЦК КПСС и Совмина СССР по созданию научной и производственной базы микроэлектроники имеют гриф ограничения допуска. Чаще всего в «ветеранской историографии» упоминается постановление № 831–353 сс от 08.08.1962 г. «Об организации Центра микроэлектроники – «Научного центра» (НЦ) и комплекса НИИ и КБ в союзных республиках».
Проект вышеупомянутого документа, по данным Б. М. Малашевича, «был результатом напряженной работы команды единомышленников из аппарата ГКЭТ, ВПК, ЦК КПСС, СМ СССР, специалистов НИИ-35, КБ-2 и других предприятий ГКЭТ».[73] Курировали подготовку В. Н. Малин (зав. Общего отдела ЦК КПСС), И. Д. Сербин (зав. Оборонного отдела ЦК КПСС) и Л. В. Смирнов (Председатель Военно-промышленной комиссии).
Первые научные статьи о микроэлектронике, как новом направлении науки и техники появляются в советских газетах и журналах в 1961 г. О производстве в них практически ничего не говорится. В 1971 г. в № 4 журнала «Радио» публикуется статья М. Лихачева (заместитель председателя научно-технического совета Минэлектропрома) «Шаги советской электроники». В ней впервые сообщаются сведения о технологических нормах и процессах, применяемых на предприятиях отечественной микроэлектроники:
«Когда речь идет о микроэлектронике, трудно бывает найти различие между наукой и производством. Даже внешне производственные цехи, где изготавливаются полупроводниковые приборы, сходны с научными лабораториями. Микроэлектроника является особым направлением электронной промышленности. На наших предприятиях массового производства сейчас изготавливаются детали размером 5–100 микрон с точностью 1–2 микрона, а толщина отдельных структурных элементов подчас не превышает 0,1 микрона. При их изготовлении используются уникальная оптика, точнейшие механизмы перемещения, новейшие достижения в области прецизионной фотографии, с высокой точностью регулируемые высокотемпературные физико-химические процессы, химические реакции и фотохимические явления. Применяются десятки сверхчистых веществ, содержащих примеси не более одной части на 10–100 миллионов частей основного материала, сложная измерительная аппаратура, управляемая электронными вычислительными машинами. При производстве интегральных схем, например, проводится более 200 технологических операций. Чистота воздуха в цехах должна быть такой, чтобы в нем на один литр было не более одной-двух пылинок размером менее половины микрона».
На официальном сайте префектуры Зеленоградского Административного округа сообщается, что «датой рождения Зеленограда считается 3 марта 1958 г. Тогда было принято постановление Совмина СССР № 248 о строительстве под Москвой в районе станции Крюково города-спутника. В 1962 г. строящийся город был передан в ведение Государственного Комитета по электронной технике (ГКЭТ)». На самом деле это произошло годом раньше. Согласно постановлению ЦК КПСС и Совмина СССР от 1 августа 1961 г. № 695–292 сс «ГКЭТ разрешено построить в Крюково опытно-показательный завод НИИРТ-282».[74]
68
Симонов Н. С. Банки и деньги. 1988–2008. Исторические очерки/под ред. Р. Г. Пихоя. – М.: Изд-во РАГС, 2009. С. 33–34.
69
РГАЭ. Ф. 300. Оп. 3. Д. 58. Л. 52–53.
70
РГАЭ. Ф. 378. Оп. 2. Д. 72. Л. 98.
71
Носов Ю. Р. США и новейшая история электроники // США/Канада. 2003. № 9. С. 87–98.
72
РГАСПИ. Ф. 556. Оп. 21. Д. 369. Л. 71.
73
Малашевич Б. М. Зеленоградский Центр микроэлектроники: создание, расцвет, закат // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. – 2007. № 1. С. 104–112.
74
РГАЭ. Ф. 378. Оп. 2. Д. 72. Л. 37.