Страница 303 из 436
Стандарт оговаривает, что испытуемое устройство должно находиться на изолирующей подставке на расстоянии 100 мм от сплошной заземленной поверхности. Это немаловажное требование, т. к. между устройством и землей образуется емкостная связь, иногда одного этого достаточно для сбоя.
На фиг.1 условно показано некое устройство, состоящее из узлов 1…4. Узлы 1 и не подключены ко внешним цепям, но они могут сбиваться из-за "перекосов" внутренней земли, вызванными прохождением тока помехи Ignd (на фиг.1 показана помеха инжектируемая в линии заземления). Узлы 3 и 4 подключены к внешним устройствам, поэтому, помимо сбоев из-за "перекосов" земли, дополнительно они подверженны сбоям из-за помеховых токов I1 и I2, проходящих через их терминалы.
Два типа проверок, оговоренных стандартом (со стороны земли и со стороны сигналов), взаимодополняют друг друга.
Оговоренные стандартом проверки, а также фиг.1, позволяют выделить три составляющих помехоустойчивости устройства к НП, рассматриваемые далее более подробно:
— Внутренняя земля устройства
— Барьеры
— Емкостные связи
Внутренняя земля устройства
Как уже упоминалось, в момент прохождения НП по внутренней земле устройства создается заметная разность потенциалов между различными точками земли ("перекосы"). Например, если узлы 1 и 2 (см фиг.1) являются цифровыми узлами, собранными на ТТЛШ логике, то разность напряжений примерно в 1 В между точками "а" и "б" способна вызвать сбой.
Основную роль в создании падений напряжений играет не резистивная, а индуктивная составляющая цепей заземления. За счет огромной крутизны передних фронтов НП, даже мизерных индуктивностей земляных полигонов или земляных слоев в печатных платах бывает достаточно для сбоя.
Рассмотрим эквивалентную схему фиг.2.
Источник помехи — генератор треугольных импульсов Vgen. Фронт нарастания помехи 5 нс, длительность по уровню 50 % равна 50 нс (см. эпюру напряжения на фиг.2), сопротивление источника помехи Rgen равно 50 Ом, как оговорено стандартом. Амплитуда помехового импульса 1 кВ, что соответствует сравнительно "мягким" испытаниям согласно табл.1.
Конденсатор Ccp1 представляет собой емкость связи, a Lw — индуктивность проводов, подключенных к устройству. Для схемы фиг.1 емкость связи Ccp1 состоит из параллельно включенных Cx1, Сх2 плюс, возможно, емкостей, привносимых внешними устройствами.
Индуктивность Lw представляет суммарную индуктивность всех проводников на пути помехи, за исключением индуктивности земли на рассматриваемом участке (в нашем случае — на участке "а"-"б" фиг.1), которая обозначена как Lgnd. Предположим, что индуктивность земли Lgnd равна 10 нГ, а индуктивность остальных цепей — 100 нГ.
Для ориентировки, печатный проводник шириной 5 мм и диной 10 мм имеет индуктивность более мГ; проводник шириной 0.35 мм и длиной 10 мм — примерно 17 мГ. Квадратный полигон размером 25x25 мм имеет индуктивность более 20 мГ.
Фиг. 3 показывает падение напряжения на Lgnd для следующих случаев:
• CСР1 = 10 пФ, Lw = 100 нГ
• CСР1 = 100 пФ, Lw = 100 нГ
• CСР1 = 0.1 мкФ, Lw = 100 нГ
• CСР1 = 0.1 мкФ, Lw = 0
При прохождении помехи на индуктивности внутренней земли устройства создается падение напряжения достаточное для сбоя. Увидеть такую помеху в земле схемы при помощи запоминающего осциллографа весьма затруднительно по ряду причин, в том числе — по причине ограниченной скорости сэмплирования большинства современных осциллографов.
Из этого следует, что даже сплошной земляной слой не спасет устройство фиг.1 от сбоев, и в нем "перекосы" земляных потенциалов при прохождении НП могут достигать десятков вольт.
Устойчивость устройства к воздействию НП не может быть достигнута только за счет утолщения земляных проводников, заливки свободных мест печатной платы земляными полигонами или использования многослойных плат. За счет одних только "толстых" земель можно получить выигрыш в помехоустойчивости примерно в 1.5–3 раза, что, на фоне помеховых сигналов фиг.3, совершенно недостаточно.
Развязка внешних сигналов при помощи оптронов тоже слывет хорошим средством повышения помехоустойчивости, но на самом деле не является надежной защитой от НП. Типично емкость оптрона равна 0.5 пФ, при подстановке этого значения в качестве Ccp1 падение напряжения на индуктивности Lgnd в схеме фиг.2 уменьшается до 4 В, что все равно достаточно для сбоя. Если устройство имеет несколько опторазвязанных линий ввода-вывода, то емкость Ccp1 будет, соответственно, больше.
Радикального уменьшения помехового напряжения во внутренней земле устройства можно достичь если правильно скомпоновать устройство и выбрать оптимальную точку заземления. Например, вполне очевидно, что во внутренней земле устройства фиг.4 помеховые токи вообще не текут на участке "а" — "в", соответственно, у узлов 1 и 2 нет причин для сбоя.
Устройство фиг.4 можно представить так: внутренняя земля устройства разделена на две части, чистую ("а"-"в") и грязную (в-г). По чистой земле помеховые токи не протекают, к этой земле можно присоединять все узлы, потенциально чувствительные к помехам (узлы 1 и 2). Помеховые токи текут только по грязной земле, с которой можно связывать только узлы нечувствительные к помехам (узлы 3 и 4).
Реальная картина вряд ли будет настолько идиллическая, как показанная на фиг.4. Паразитную емкость Сх очень редко удается сосредоточить только в грязной земле, частично она существует и в чистой левой части. За счет этой емкости полностью избавиться от помеховых токов в чистой земле не удается.
Проиллюстрируем сказанное несколькими примерами.
Пример 1
На фиг.5 представлена схема кварцевого генератора микроконтроллера. Основу генератора составляет скоростной инвертирующий усилитель, встроенный в микроконтроллер. Режим работы по постоянному току задается встроенным высокоомным резистором, включенным между входом и выходом этого усилителя. Для корректной работы генератора дополнительно к внешнему кварцевому резонатору X1 требуются два конденсатора малой емкости, С1 и С2. Конденсаторы и земляная ножка микропроцессора подключены к внутренней земле устройства.
Точки подключения конденсаторов и микроконтроллера к земле печатной платы играют существенную роль. Малейший перекос земляных потенциалов между С1 и VSS, возникающий при прохождении НП по земле устройства, будет многократно усилен и попадет внутрь микроконтроллера как ложный короткий тактовый импульс. Поскольку длительность ложного тактового импульса намного меньше чем длительность "настоящих" тактовых импульсов, внутренняя логика микропроцессора может придти в непредсказуемое состояние. Микропроцессор "зависнет", и не всякий встроенный сторожевой таймер сможет его сбросить, так как в некоторых микроконтроллерах сторожевые таймеры тактируются от общего генератора, и сами могут "зависнуть" после воздействия такой помехи.